採用固定研磨顆粒，實現卓越的研磨和去除性能
針對裝置面的非接觸式之理念
斜面形狀外觀控制功能
範圍廣、靈活的研磨區域
因應SEMI-S2/CE
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EAC型是透過研磨半導體晶圓橫截面的斜面部分、晶片表面及背面的邊緣部分，以去除缺陷和不必要的薄膜的裝置。透過固定的研磨顆粒，可進行不選擇研磨目標的物理性研磨。此外，透過可進行配方控制的研磨頭，實現高精度控制晶圓橫截面形狀。
F-REX300XA型
進一步提升生產效率，高性能＆具彈性之CMP裝置
UFP600AS型
兼具高通過料量、高速電鍍和優異的面內均勻性
F-REX型
以高運轉率和高通過料量實現高生產性